「电子干货」4个管脚的贴片陶瓷电容

1. 低ESL

等效串联电感（ESL）低，为了优化高频特性，电容器适合用于告诉运作的电子设备电源去耦。

2. 有效减少元器件数量。

使用了低ESL电容器，可维持与2端子电容器相同功能，并减少元器件数量。

IC = integrated circuits 集成电路

LSI= Large Size Integrated circuits. = 大型集成电路

IC开关速度的高速化使IC本身很容易变成噪声源，为了解决这种高频噪声和抑制电源电压波动，如图所示，很多MLCC将被当做旁路电容来使用。

在下图中，从IC的HOT端子（电源管脚）开始，途径MLCC，直至IC的GND端子，电流回路所产生的阻抗我们在此称为回路阻抗。IC的HOT-GND之间所产生的电源电压波动依赖于此回路阻抗的大小。为此，为了控制电源电压波动，首先需要降低回路阻抗。此时，MLCC的阻抗就成为回路阻抗的一部分。

为减小回路阻抗，通常需要将多个MLCC并列连接，根据并联效果减小总阻抗。此次所使用的MLCC其构造及等效回路如图右下角所示，虽为电容器，等效串联电阻：ESR，等效串联电感：也有ESL，而这其中的ESL是增大高频回路电感的主要原因。

本次所介绍的低ESL电容器如后面所述，是为降低ESL而制成的MLCC的一种。通过将低ESR电容器作为旁路电容器来使用从而减小回路阻抗。此外，MLCC被ESR电容器替换后可以减少并联使用数目，从而大幅减少数量以及贴装面积。

接着就低ESL电容器的构造及优势进行说明。低ESL电容器有2种，即长宽逆转电容器和3端子电容器。

通常情况下MLCC的ESL随着电流流动距离长度的加长而增加，宽幅增大时减小，因此在长宽逆转电容器的构造中通过缩短电流距离、增大走线宽度来实现低ESL。

在3端子电容器内部电极构造中，HOT贯通电极与GND贯通电极相互交替叠加。因此，当电流朝绕行方向流动时，电流距离缩短，走线幅度增长，从而实现了低ESL。此外，3端子电容器的电流流动路线由4条构成，通过并列效果，更进一步实现了低ESL。还有，电流沿着GND方向、画面的上下方向流动。通过电流产生的相互电感可进一步获得低ESL效果。

3. 有效静噪作为EMI滤波器

4.实际使用案例图片