对陶瓷电容器施加直流电压时，容值为啥变小
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电容器的温度特性是以作为电介质材料的陶瓷种类为准。主要使用的陶瓷种类为类型1(低介电常数)以及类型2(高介电常数)。 类型1的陶瓷是以二氧化钛（TiO2）为基材的非强介电性陶瓷，其中多数含有添加物钛酸锶（SrTiO3）以及钛酸钙（CaTiO3）。类型1的陶瓷为中介电性（非强介电性），因此温度稳定性十分优秀。此外，DC偏压下静电容量不会发生变化，同时静电容量也不会因老化发生变化。 类型2，其高介电常数系列的电容器(B/X5R特性或E/Z5U、R/X7R、F/Y5V特性)，由于施加直流电压，其静电容量有时会不同于标称值，因此应特别注意。 例如，如下图所示，对高介电常数系列电容器施加的直流电压越大，其实际静电容量越低。下图是横轴表示施加在电容器的直流电压(V)，纵轴表示的是相对于初始值的静电容量的变化情况。如图所示，根据所施加的电压，其静电容量发生变化的特性称为"DC(直流)偏压特性"。
根据上述内容，在使用高介电常数系列电容器时，应充分考虑其实际工作状态下，施加在电容两端的直流电压。 此外，对于DC偏压特性，是普遍现象，在所有高介电常数系列电容器中都有此现象。可以通过软件来确认偏压特性、温度特性以及频率特性。例如村田提供SimSurfing。各个厂家都会提供相应的表格或者工具。 关于DC偏压特性的原理 陶瓷电容器中的高介电常数系列电容器，现在主要使用以BaTiO3 (钛酸钡) 作为主要成分的电介质。 BaTiO3具有如下图所示的钙钛矿（perovskite）形的晶体结构，在居里温度以上时，为立方晶体（cubic）,Ba2 离子位于顶点，O2-离子位于表面中心，Ti4 离子位于立方体中心的位置。
上图是在居里温度（约125℃）以上时的立方晶体（cubic）的晶体结构，在此温度以下的常温领域，向一个轴延长，其他轴略微缩短的正方体（tetragonal）晶体结构。 此时，作为Ti4 离子在结晶单位的延长方向上发生了偏移的结果，产生极化，不过，这个极化即使在没有外部电场或电压的情况下也会产生，因此，称为自发极化（spontaneous polarization）。像这样，具有自发极化，而且可以根据外部电场转变自发极化的朝向的特性，被称为强诱电型（ferro electricity）。
自发极化 在一定温度范围内、单位晶胞内正负电荷中心不重合，形成偶极矩，呈现象极性。这种在无外电场作用下存在的极化现象称为自发极化。当施加外界电场时，自发极化方向沿电场方向趋于一致；当外电场倒向，而且超过材料矫顽电场值时，自发极化随电场而反向；当电场移去后，陶瓷中保留的部分极化量，即剩余极化。自发极化与电场间存在着一定的滞后关系。它是表征铁电材料性质的必要条件。铁电陶瓷、压电陶瓷，如钛酸钡晶体BaTiO3等具有自发极化。利用材料的这种性质，可制作电子陶瓷，如电容器及敏感元器件。
就是在压电陶瓷上加一强直流电场，使陶瓷中的电畴沿电场方向取向排列，又称人工极化处理，或单畴化处理。 为了使压电陶瓷处于能量（静电能与弹性能）最低状态，晶粒中就会出现若干小区域，每个小区域内晶胞自发极化有相同的方向，但邻近区域之间的自发极化方向则不同。自发极化方向一致的区域称为电畴，整块陶瓷包括许多电畴如图所示。
极化前，各晶粒内存在许多自发极化方向不同的电畴，陶瓷内的极化强度为零，如图（a）所示。极化处理时，晶粒可以形成单畴，自发极化尽量沿外场4方向排列，如图(b)所示。极化处理后，外电场为零，由于内部回复力（如极化产生的内应力的释放等）作用，各晶粒自发极化只能在一定程度上按原外电场方向取向，陶瓷内的极化强度不再为零，如图(c)。这种极化强度，称为剩余极化。
与单位体积内的自发极化的相转变相同的是电容率，可视为静电容量进行观测。当没有外加直流电压时，自发极化为随机取向状态，但当从外部施加直流电压时，由于电介质中的自发极化受到电场方向的束缚，因此不易发生自发极化时的自由相转变。其结果导致，得到的静电容量较施加偏压前低。 这就是当施加了直流电压后，静电容量降低的原理。 此外，对于温度补偿用电容器（CH、SL特性等），以常诱电性（低介电常数）陶瓷作为主要原料，静电容量不因直流电压特性而发生变化。 DC偏置使得介质内的固定电荷产生固定偏转，所以材料的性能会退化。高偏置的强电场让介质定向极化，材料就退回到普通陶瓷的情况了。
如果我们在电容两端施加交流信号，则会出现电容值增大的现象。交流信号让介质中的“固定”电荷来回换向，从而影响材料内的电场分布，“吸附”更多的电荷。AC幅值增加，“电荷”方向和电场越一致，附加的电场强度上升，可用容量增加；但是当介质中固定电荷场强一致之后，这个效益就很小了，所以AC容量特性会饱和，不再继续增大。
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