光电耦合器制造工艺流程

光电耦合器，通常简称为光耦。其基本原理是以光作为媒介，来传输电信号。在一些特殊的应用场合，会要求输入√输出端实现电气隔离，这样就不能使用传统的电子器件来传输电信号，光耦正是为了适应这样的场合而诞生。

光耦通常采用DIP或SMD封装，实际的工艺流程将红外LED、硅光敏三极管封装起来，并形成输入/输出引脚，这个过程与IC封装类似，不同之处在于其选材及关键工艺控制。通常光耦的工艺流程如下：

陶瓷基座制作→厚膜电路制作→芯片(IR LED、PD和ASIC)测试→芯片烧结压焊→中测→耦合对准→装架→封装→检漏→中测→老化筛选→末测。

根据工艺流程，业界通过对光耦生产中不良品的解剖分析，结合光耦自身特点，总结了一些影响光耦可靠性的工艺因素：

1.银胶对可靠性影响

装架采用银浆粘片工艺，可以满足芯片有较好欧姆接触，较低正向压降，但不同品牌银胶与各种芯片材料及支架粘结力不同，贮存及使用寿命也相差很多。使用不当会造成芯片与支架粘结不牢影响键合甚至产生掉片。

2.手工装架、键合质量对可靠性影响

由于红外芯片长宽都只有0.3mm，且材料易碎。所以手工装架容易出现质量问题，所以通常采用自动装架键合机。

3.内包封、注塑外包封对可靠性影响

光耦在内包封点胶时，针头碰到金丝会在胶体中产生虚焊、断丝、倒丝等不良情况。由于内包封材料弹性好，不良品很难筛选干净，影响产品可靠性。另外，内包封材料与塑封料热匹配差异较大，外包封后两者结合并不十分紧密。由于光耦结构上塑封体与支架粘结部分较小，封装粘模时会使条带变形，由于起模时塑封体内部尚末完全固化，受力后会产生空隙，引起管脚松动，造成内引线在引线框架处拉断虚焊，形成断续性开路。所以选择结合良好的塑封料和引线框架，改进工艺方法杜绝封装时拉断内引线，就可以提高产品密封性和器件稳定性。