闻泰科技：自研IGBT系列产品流片成功，取得阶段性重大进展

闻泰科技股份有限公司发布公告称，半导体业务新产品流片成功。其全资子公司Nexperia B.V.（“安世半导体”）于2021年设立了中国研究院，专注高压功率器件、模拟IC等新产品研发方向。目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor ，以下简称“IGBT”）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展， 各项参数均达到设计要求。

IGBT是电源转换的核心器件，也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快、载流密度大等特点，并拥有广泛的应用市场，主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、智能电网、大功率电源、工业控制、家电产品等领域。其市场空间大、技术壁垒高且注重工程师经验和品牌口碑积累，是半导体里的优质赛道。

公告指出，IGBT流片成功后，仍需经过客户验证，后续量产计划具有不确定性。目前 公司生产经营正常，各项业务有序开展，公司将视相关产品及项目的进展情况持续履行信息披露义务，请广大投资者注意投资风险。