SiC MOSFET在光伏发电系统中的应用

现代电力电子技术以高压、高频方向为发展趋势。Si-IGBT 虽然可以做到高压，但其开关频率受到限制，很难高频化。Si-MOSFET 虽然可以达到高频化，但其大工作电压受到限制。Si 材料的功率器件已很难满足电力电子技术高压、高频化的发展趋势。比起 Si 半导体材料，SiC 半导体材料具有更高的禁带宽度、更高的雪崩临界击穿电场、更高的热导率等优点，故 SiC 功率器件是高压、高频化的 佳选择。随着 SiC 技术的成熟，目前 SiC 功率肖特基二极管及 SiC-MOSFET 已经商业化，较大规模的应用在电力电子行业的各个领域。

尽管 SiC-MOSFET 具有损耗低、转换效率高等优势，但在具体应用时，SiC-MOSFET 也存在一些问题。在使用 SiC-MOSFET 时，驱动串扰及并联驱动震荡问题值得关注及研究。

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