无锡新洁能产品解决方案

时间：2022-03-14来源：佚名

无锡新洁能股份有限公司是中国功率MOS器件研发能力与实力最强、功率MOS器件品种最齐全、代工生产量(按8英寸晶圆统计)最大的设计公司，同时也是国内第一家研发成功并量产销售500V-900V超结MOSFET(Super-Junction MOSFET)器件与30V-250V屏蔽栅沟槽MOSFET(Super-Trench MOSFET)器件的设计公司，并在不断推出新的技术世代与其系列产品，产品综合性价比具有国际竞争力，符合充电桩方案应用要求;

直流充电桩主电路系统框图

单相电电路拓扑图(1.5kW-2KW)

单相电电路拓扑图(3.3kW-6KW)

三相电电路拓扑图(12kW/15KW/20KW)

Super junction MOSFET产品简介

Super Junction MOSFET系列产品采用电荷平衡原理，全面提升了功率MOSFET的导通特性和开关特性，将器件性能提升到一个新的级别，新洁能采用这一先进理论，推出了一系列Super Junction 功率MOSFET产品，广泛应用于光伏逆变、大功率电源、LED照明、手机充电器、笔记本适配器等领域。

Super Junction MOSFET产品分布

650V Super Junction T*TF系列产品列表

IGBT产品简介

新一代(Trench FS II)IGBT系列产品，基于沟槽电场截止型IGBT技术(Trench Field Stop)理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程(Ultra Thin Wafer Process)，从而大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。相比上一代(Trench FS)IGBT，新一代(Trench FS II)IGBT芯片面积更小，芯片厚度更薄;导通压降(VCEsat)降低约0.3V，开关损耗降低20%以上;器件可耐工作温度更高，使用寿命更长;且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性;综合性能达到业内领先水平。

Ø Smooth switching curve can compete with 4th-Gen ”H” series products of “I” Competi

Ø Low dV/dt and dI/dt for EMI decreasing

IGBT“TD”系列部分产品列表

Super Trench MOSFET产品简介

低电压输出整流，部分方案通过同步整流MOSFET替代肖特基整流，以提高效率和功率密度; NCE Super Trench MOSFET(简称为SGT-MOSFET)采用最新屏蔽栅技术，可同时减少导通损耗和开关损耗，最大程度提高系统效率;

Super Trench MOSFET产品优势与特点

目前新洁能针对不同系统应用电压推出30V~250V Super Trench MOSFET，并可根据客户需求提供包括模块在内的不同封装形式;