高耐压、低损耗SiC混合模块的开发
时间:2022-03-14来源:佚名
https://image1.big-bit.com/2017/0605/20170605042816820.pdf 近年来,为防止地球环境的升温,到目前为止,一直都在要求削减CO₂等温室效应气体。作为削减方式之一是广泛利用电力电子(PE)设备的节能化,其中重要的一项是组成逆变器的功率器件,通过电路、控制等的技术革新,使得逆变器的高效率化。典型的IGBT模块就是迫切要求低损耗的功率器件,但迄今一直采用Si的IGBT芯片和续流二极管芯片,而Si器件的性能正接近基本物理性能的理论极限。因此,具有超越Si极限的耐热性和高的击穿电场强度的SiC器件,真正可望实现装置的高效率化和小型化。 |