不断发展的ROHM最新功率元器件

用于功率转换的半导体功率元器件，由于对所有设备的节能化贡献巨大，其未来的技术发展动向受到业界广泛关注。

ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流，致力将在使分立半导体、IC的开发与制造过程中积累起来的技术得到进一步发展的功率元器件产品的阵容壮大。其中，在实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(SiC半导体)产品领域，正在实施产品扩充战略，并遥遥领先于业界。另外，充分发挥综合半导体产品制造商的优势，在传统的硅半导体产品领域，也在不断扩大与控制IC相结合的复合型产品群。下面介绍ROHM最新的功率元器件。

碳化硅(SiC)半导体产品

SiC功率元器件是以碳和硅组成的化合物半导体碳化硅(Silicon Carbide)为材料制作的功率半导体，因其所具备的优异性能与先进性，多年来一直作为"理想的元器件"而备受瞩目。如今已在工业、车载、铁路、家庭等众多应用中被广为采用与研究，为设备的节能化做着贡献。

① ROHM的碳化硅(SiC)半导体产品

从SiC功率元器件的研究开发到量产，ROHM一直遥遥领先于业界。下面简单介绍一下SiC功率元器件的产品阵容及其特点。

l SiC肖特基二极管：具有低开关损耗、低正向电压特性的产品(图1)。在高效电源等设备中应用广泛。ROHM拥有满足AEC-Q101标准的分立产品阵容，已在日本国内及海外众多电动汽车、插入式混合动力车的车载充电电路中得到广泛应用。

图1.SiC肖特基二极管与硅材质FRD特性比较(650V/10A级)

l SiC-MOSFET：耐压超过1000V的MOSFET元器件，采用硅半导体很难创造出导通损耗足够低的器件，但通过碳化硅(SiC)半导体则可以实现。另外，与作为耐高压的开关元件被广泛应用的硅材质IGBT相比，SiC-MOSFET的开关损耗仅为1/5左右，因此，在驱动频率越来越高的设备小型化(过滤器、冷却机构)和功率转换效率的提升等方面有望获得显著效果。(图2)。

图2. 普通Si-IGBT和ROHM的SiC-MOSFET的开关损耗比较

l SiC功率模块：ROHM实现了功率元件全部由SiC功率元件构成的“全SiC”功率模块的量产(图3)。

图3. SiC功率模块的外观

② 实现了更大电流的1200V/300A“全SiC”功率模块

ROHM已于2012年实现了1200V/120A、180A产品的量产。并于2015年6月开始将1200V/300A新产品投入量产。

为充分发挥SiC功率元器件的高速开关性能，使模块内部的电感更低是在实现更大电流规格方面非常重要的技术。ROHM通过优化内置SiC元件的配置及内部格局，开发出内部电感比已经量产中产品(120A、180A)降低约一半的模块，成功开发出额定电流300A的产品。

与同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗可降低77%。使用本产品可大幅降低开关损耗，从而实现设备中的冷却机构的小型化。不仅如此，还适用高频驱动，例如在30kHz的开关频率下使用功率模块时，与IGBT模块相比，导通损耗和开关损耗合计共可降低约60%(图4)。

通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。不仅有助于设备的节能化，还有助于实现进一步小型化。

图4. ROHM新产品与普通IGBT模块的损耗比较

③ 采用沟槽结构的SiC-MOSFET产品

与现有量产中的SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通损耗更低(导通电阻降低约50%)，同时实现了更高的开关性能(输入电容降低约35%)(图5)。

图5. 沟槽结构SiC-MOSFET的导通电阻、输入电容特性