思特威成功开发国产自研高端BSI工艺平台

近日，思特威与合肥晶合集成合作推出了国产自研高端BSI工艺平台。

在CMOS图像传感器小像素尺寸与高分辨率的市场趋势下，BSI（Back SideIllumination）即背照式入射受到市场的重视和需求。相较于前照式入射方案，BSI将光线入射方向改至光电二极管的背面，可大幅提升 CMOS 图像传感器的量子效率，降低电路光学串扰，同时解决了像素尺寸微小化和扩大光学视角响应方面的重要难题，进而实现极佳的暗光成像品质。

据悉，早在2020年，思特威就已与晶合集成携手成功推出了DSI工艺平台并实现量产。为了继续提升产品性能，2021年思特威开始进行本土BSI背照式先进工艺平台的研发，在多项关键技术工艺上取得突破性成果，创新推出了国产高端BSI工艺平台。此次思特威携手晶合集成推出的国产自研高端BSI平台通过晶圆键合技术、晶圆减薄技术以及硅表面钝化技术等三大关键工艺，可为当下智视应用提供一流的暗光成像性能。