单芯突破140 mW | 深紫科技实现UVC大功率芯片技术跨越

据悉，深紫科技研发团队在外延和芯片技术上不断探索，成功实现了UVC大功率芯片技术突破。通过外延底层优化及核心层结构设计、芯片新型p型透明电极及特殊反射电极设计，成功研制出单颗光输出功率140mW以上的大功率芯片。

目前，该款产品已通过多位客户的数轮验证，进入批量供货阶段。

深紫科技该款单芯尺寸为45＊45mil，目前芯片已进行多轮可靠性测试。

在注入电流350mA的条件下，单芯光输出功率104．54mW，其工作电压在5．79V；在注入电流500mA的条件下，单芯光输出功率可达143．43mW。

该款产品老化性能也相当优秀，在350mA驱动下，该芯片持续点亮1000小时，光功率维持率仍在90％以上，预估L70寿命可超过10000小时。该产品技术性能的突破，将助力深紫科技在国际市场上名列前茅。

45＊45灯珠光电测试结果

封装测试报告

寿命测试数据以及寿命曲线

深紫科技表示，该产品技术性能的突破，不仅可以巩固深紫科技的技术领先地位，更可以满足深紫外LED在公共卫生杀菌领域的功率需求，促进深紫外LED产业的快速发展。