国产BAW滤波器知名企业武汉敏声完成近6亿元B轮融资

武汉敏声（MEMSonics）由武汉大学孙成亮教授联合14名国际知名业内专家于2019年共同创立，于2020年10月正式运行。2021年4月全部专家回国并全职到岗，公司进入快速发展阶段，截至2022年6月，公司已有逾100名员工。武汉敏声致力于射频前端滤波器制造及其产品应用方案的实施，产品同时覆盖压电式麦克风以及超声传感器等MEMS器件，是一家集设计、生产、销售为一体的IDM/CIDM公司。公司在武汉、苏州、北京、新加坡等多地布局设立研发设计中心、产品中试平台及大规模量产基地。

武汉敏声自有知识产权的无线射频前端体声波滤波器（BAW）属于射频滤波器中技术门槛和价值量较高的产品，该类产品市场应用空间广阔，长期被国外厂商垄断，其所属的射频器件领域是制约我国工业发展的35项‘卡脖子‘关键技术之一。凭借核心团队多年的技术沉淀和制造经验，武汉敏声经过一年多的飞速发展，自主开发技术完成多款BAW滤波器的正向研发，产品性能指标经多次测试，已达到商用标准。同时，公司根据市场需求和产业技术发展趋势，积极布局下一代更高频段射频滤波器系列产品的研发，产品覆盖低、中、高全频段范围，以满足客户不同需求。

武汉敏声具备正向研发IP的全面技术实力，在产品IP设计、工艺技术路线上均具有完全的自主知识产权，公司已申请近160项发明专利，已授权发明专利51项，建立了独有的专利护城河。同时，公司在高频大带宽滤波器技术领域布局数十项核心专利，独辟蹊径的PBAR大带宽技术在2*mdash;8GHz频率范围有巨大竞争优势。

公司拥有完整的IDM/CIDM团队，包括顶尖的芯片设计应用专家与工艺制程专家。公司核心团队来自新加坡微电子研究院（IME）、格罗方德、台达电子、长江存储、村田中国等全球知名企业或科研院所，人员涵盖设计、材料、制程、封装、测试等各领域。在国产BAW滤波器领域严重缺乏具备丰富工艺制程经验的人才的环境下，武汉敏声核心团队具有平均10年以上的8英寸氮化铝平台MEMS滤波器制造与设计经验，为公司带来极具竞争力的优势。

滤波器的制造和工艺壁垒非常高，需要长时间的摸索积累，基于核心团队在8英寸氮化铝平台上具备丰富实战经验，武汉敏声已与战略合作方共同投入资源联合共建8英寸射频滤波器大规模量产线，预计2022年底实现通线，公司有望成为国内率先实现体声波滤波器（BAW）自主量产的企业。

创始人介绍：

创始人孙成亮博士 董事长

国家重点研发计划首席科学家

武汉大学工业科学研究院教授、博士生导师。主要从事压电氮化铝薄膜材料与器件研发，先后在香港理工大学、美国匹兹堡大学、美国威斯康辛大学、新加坡微电子研究院学习和工作十三年，拥有国际专利6项，其中1项已成功技术转让。回国后，主持基于氮化铝薄膜MEMS研发项目14项（约合7500万人民币），发表SCI论文60余篇，国内发明专利120余项，31项已授权。曾获新加坡工程院‘杰出工程成就奖‘、新加坡科技研究局‘航空航天计划成就奖‘、‘湖北省五一劳动奖章‘等。

徐红星院士 首席科学家

中国科学院院士

物理学家

武汉大学微电子学院院长、教授、博士生导师。主要从事等离激元光子学、分子光谱和纳米光学的研究。主要包括：单分子的物理化学性质，单分子操控及器件的研究；表面增强光谱；复杂金属纳米结构的表面等离体学；表面等离子体光学传感器；近场光学的理论模拟与计算。

李春江 副总经理

2003年开始从事泛半导体行业，作为中国最早从事6英寸化合物半导体生产线建设及运营人员，从2012年起深耕射频领域，参与编写中移动5G联创中心发布的5G射频前端白皮书，主导公司获得全省第一家国家集成电路重大项目企业，市科技进步二等奖，新经济百名优秀人才，多次在集成电路产业促进大会、世界半导体大会、Semicon China论坛讲解化合物半导体与5G通信。累计已申请化合物半导体专利16项，其中发明专利10项，拥有国际TRIZ二级认证。

国世上博士 声学专家

武汉大学教授，博士生导师，武汉大学本科和博士，先后在香港和法国进行科研工作。长期从事压电铁电材料与器件研究，在声表面波器件方面有近20年的经验。先后承担国家级和省部级课题十余项，发表SCI论文近百篇，授权发明专利十余项。

吴国强博士 设计与制程专家

中科院上海微系统与信息技术研究所工学博士。曾任新加坡科技局微电子研究院项目负责人。主持包括国家自然科学基金、国家重点研发计划课题等科研项目共10项，总计科研经费超过3000万人民币。已发表学术论文40余篇，获取授权发明专利15项，其中美国专利2项。