盛美上海推出新型预清洗设备 适用于硅片和碳化硅衬底制造

盛美上海董事长王晖博士表示：“全球设备供应链的交付时间继续延长，这为盛美上海提供了一个绝佳时机，我们可以凭借在半导体清洗工艺技术方面的丰富经验进入清洗市场，进一步扩大清洗产品组合。Post-CMP清洗设备为盛美上海的客户提供了一种稳定、可靠且具有成本效益的解决方案，同时还能缩短交货时间，大大缓解短缺的现状。”

在CMP步骤之后，需要在低温下使用稀释的化学品进行物理预清洗工艺，以减少颗粒数量。盛美上海的Post-CMP清洗设备能够满足这些要求，并提供多种配置，包括盛美上海独创的 Smart MegasonixTM先进清洗技术。

第一种配置是新型WIDO在线预清洗设备，它可以直接与现有的CMP设备对接。晶圆自动转移到两个刷洗腔体中，使用化学和冷去离子水（CDIW）同时对晶圆正面、背面和斜面边缘进行处理。然后将晶圆转移至两个或四个清洗腔体，并使用多种化学品和 CDIW 进行处理。这一过程通过氮气（N2）干燥和高速旋转完成，可实现37纳米以下少于15个剩余颗粒的处理，或28纳米以下20-25个剩余颗粒的处理，同时金属污染可控制在1E 8（原子/平方厘米）以内。当配置4个腔体的时候，WIDO预清洗设备可提供高达每小时35片晶圆的产能。

第二种配置是新型DIDO预清洗独立设备，它配有四个装载端口，比WIDO预清洗设备占地面积更小，适用于CMP产线具有内置清洗腔的客户，从而保持取出的晶圆干燥良好。在这种配置下，晶圆通过装载端口手动转移到预清洗设备中，然后进行与WIDO预清洗设备中相同的处理。DIDO预清洗设备有四腔或六腔配置，分别为两个软刷和两个清洗腔体或两个软刷和四个清洗腔体。DIDO预清洗设备可实现与WIDO预清洗设备相同的金属污染清洗效果。并且在使用配置六腔体设备时，产能可达到每小时60片晶圆。

第三种可用配置是WIDO离线预清洗设备，适用于晶圆厂占地面积较小的情况。使用该设备时，从CMP设备中出来后的湿晶圆需转移到DIW中，并手动转移至WIDO离线预清洗设备中，使用相同清洗工艺，可实现相同的颗粒清洗性能，产能可达每小时60片晶圆。