镓特半导体9月推出“开学季感恩惠”活动 Gan衬底全球超低价放送
时间:2022-09-01来源:佚名
半导体产业网讯:9月,镓特半导体推出“开学季感恩惠”活动,Gan衬底全球超低价放送!
镓特半导体科技(铜陵)有限公司成立于2017年11月,注册资本4.2亿元,坐落于国家级铜陵经济技术开发区内,是一家专业从事第三代半导体材料——氮化镓GaN晶圆衬底研发与制造的高科技企业。目前建有4万平方米标准化厂房及配套设施,拥有40余台HVPE等核心设备,建成氮化镓专业生产线和研发实验室,首次在国内实现4"氮化镓衬底量产,至2023年可形成年产3.6万片大尺寸、高质量氮化镓衬底能力,实现年产值7.2亿元。
公司创始人为留美归国李起鸣博士,曾任美国能源部Sandia国家实验室终身科学家、美国电子材料学会特约分会主席。核心团队由李起鸣博士、Troy J.Baker博士(诺奖得主中村修二的学生)等13位业内专家组成,自主研发创新氮化镓衬底制备技术,处于国内领先、国际先进水平,成功打破国外技术壁垒和行业垄断,填补我国半导体材料关键领域空白。
镓特半导体是目前国内综合规模最大的氮化镓衬底制造基地,主营产品为4"和2"氮化镓衬底,该系列产品是基于HVPE(氢化物气相外延)生长技术,采用厚膜应力控制、自剥离技术、激光剥离技术、研磨抛光技术等先进工艺制造而成,获得45项发明和实用新型专利授权,拥有核心自主知识产权,较国内外同类衬底产品具有下列优势。
(1)尺寸大:4”产品国内首家量产,6”产品处于试制阶段。
(2)高质量:翘曲度小,位错密度低,TDD数值为5e5至9e5/cm2,较硅基、蓝宝石、碳化硅等同质外延具有明显优势。 (3)较低成本:HVPE技术设备自主研发,成本可控。
(4)绝缘性能好:实现氮化镓衬底碳掺杂,其电阻率≥109Ω?cm,半绝缘性能表现出色,在国内外处于绝对领先位置。
金秋九月,恰逢开学当季。为感谢全球客户朋友多年来对公司的关怀、信任和支持,镓特半导体现面向广大高校研究院、科研院所和科研团队等客户于9月推出“开学季感恩惠” 促销活动。镓特半导体致力于为国内外客户供应优质的氮化镓衬底片,真正做到让半导体行业用得上、用得起、用得好的氮化镓衬底。
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