光敏二极管的四大技术参数

作为二极管产品中的常见类型，光敏二极管的反向直流电阻在无光照时可以达到几兆欧，有光照时则会下降到几百欧左右，光敏二极管有哪些技术参数，主要包括最高工作电压、光电流la和暗电流IB等参数。

光敏二极管的技术参数

1、最高工作电压

最高工作电压也称为最高反向工作电压，指无光照时光敏二极管中反向电流≤0.2~0.3uA时允许的高反向电压，该电压一般为10-50V。

2、光电流la

光电流I是指在受到一定的光照及最高工作电压下流过管子的反向电流，一般光电流为几十微安，与照度呈线性关系。光电流越大越好。

3、暗电流IB

暗电流是指在无光照且加一定反向电压时的反向漏电流与暗电流，一般在50V反向电压下的暗电流小于100uA。暗电流要求尽量小。光敏二极管的暗电流随温度变化而变化，如硅光敏二极管的IB值，在环境温度升高30-40℃时将增大10倍。因此，在要求稳定性高的电路中，应考虑进行温度补偿。

4、光谱响应特性

不同类型的光电二极管，其光谱特性和峰值波长都不相同。

上图中为硅光敏二极管和锗光敏二极管的光谱特性曲线。从该曲线可知，锗管的光谱范围要比硅管宽，硅光敏二极管的光谱范围为400 -1100nm，其峰值波长为880 - 900nm，其与GaAs红外发光二极管的波形相匹配，可以获得较高的传输效率。锗光敏二极管的峰值波长约为14 650A（1A= O.1nm），在采用相同的白炽灯作为光源时，其光电池比硅管的大。