场效应管的分类，场效应三极管的型号命名方法
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有关场效应管的小知识，介绍了场效应管的分类，场效应管分结型、绝缘栅型两大类，以及场效应三极管的型号命名方法，场效应管的主要参数，最后介绍了场效应管的作用，有需要的朋友参考下。 一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类，结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）因栅极与其它电极完全绝缘而得名。 在绝缘栅型场效应管中，MOS场效应管应用最广泛，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；另外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。按导电方式来划分，场效应管分为耗尽型与增强型二种类型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型，也有增强型。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型，P沟耗尽型和增强型四大类。 如图所示：
二、场效应三极管的型号命名方法目前，有两种命名方法，第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如：3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但使用时一般需要关注以下主要参数： 1、I DSS—饱和漏源电流：指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。 2、UP—夹断电压：指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT—开启电压：指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。(来自：电工之友 www.gdzrlj.com) 4、gM—跨导：表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS—漏源击穿电压：指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。 6、PDSM—最大耗散功率：一项极限参数，指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 7、IDSM—最大漏源电流：也是一项极限参数，指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。 几种常用的场效应三极管的主要参数：
四、场效应管的作用1、场效应管有放大作用，因场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，主要用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可用作可变电阻，场效应管可用作恒流源，场效应管还可以用作电子开关。 |
