湖南三安第三代半导体项目3栋厂房主体相继封顶

　　近日，湖南三安半导体项目(一期)Ⅰ标段溅度厂房实现主体结构封顶。这是该项目继M3器件封装厂房、M4碳化硅长晶厂房顺利完成主体结构封顶之后，项目建设迎来的又一个重要时刻。

　　据介绍，溅镀厂房位于该项目的东南角，占地面积5500平方米，总建筑面积约6000平方米，该厂房主要作用是通过溅镀技术对芯片的各个表面进行溅镀薄膜以保护芯片。该栋单体于10月5日开挖承台，12月2日完成正负零结构施工，12月25日完成最后一块屋面浇筑。

　　M4碳化硅长晶厂房单体占地面积8000平方米，建筑面积1.2万平方米，为所有单体中建筑面积第四大单体，建筑结构为钢筋混凝土结构。该单体于9月3日正式动土，于12月24日顺利完成主体结构封顶。M4碳化硅长晶厂房结构封顶打通了湖南三安半导体项目全产业链全面封顶的重要一环。

　　M3器件封装厂房占地面积达1.1万平方米，建筑面积达3.3万平方米，为整个项目建筑最高、结构层数最多的单体。该单体自9月1日开工以来，于12月20日完成封顶施工，比原计划整体提前7天。

　　据了解，这三栋单体实现结构封顶，标志着整个项目第二阶段的主体施工接近尾声，后续废水站、M1A长晶、M2B芯片厂房将相继在2021年1月中旬及下旬完成封顶，届时，该半导体项目全产业链将全面打通。

来源：长沙高新区