世纪金光总投资35亿元的碳化硅芯片项目签约金华

　　7月18日，在“2021上海·金华周”开幕式上，16个项目集中签约，包括总投资35亿元的世纪金光第三代半导体碳化硅芯片项目。

　　年产22万片SiC，产值达40亿!

　　据悉，世纪金光第三代半导体碳化硅芯片项目总投资35亿元，建设年产22万片6~8英寸碳化硅芯片生产线，项目分三期完成建设，三期项目全部达产后可实现年产值约40亿元。项目建成后将助推上下游关联产业的发展，预计可带动上下游产业近千亿产值。

　　世纪金光在SiC领域的发展历程

　　2015年，第一款SiC SBD研制成功，开始SiC全产业链工业生产线建设

　　2016年，第一款SiC MOSFET器件研发成功

　　2017年，获得国家集成电路产业投资基金投资，“企业研发中心”获批“第三代半导体功率器件设计与验证北京市工程实验室”

　　SiC从粉料到功率器件产业链建成并投产

　　2018年，国内首条6英寸SiC器件生产线通线

　　2019年，获得“第三代半导体功率器件与验证中试服务平台”授牌

　　关于世纪金光

　　世纪金光是一家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业，致力于第三代半导体功能材料和功率器件研发与生产，是国内第一家拥有SiC全产业链技术的半导体公司。

　　目前，“世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产;功率器件和模块制备已覆盖额定电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管(SBD)，额定电压650-1200V、额定电流20-100A的金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。

　　在终端应用方面，世纪金光碳化硅功率器件已经成熟应用于电源PFC、充电桩充电模组、光伏逆变器、特种电源等领域;基于碳化硅技术的新能源汽车电机驱动系统的技术开发已经获得重要进展。

来源：化合物半导体市场